铁电器件课题组(王晓磊) | 中国科学院微电子研究所 | labxing-凯发游戏网站

铁电器件课题组(王晓磊)

半导体存储器件

fefet疲劳特性

      fefet是非常有前景的存储器方案之一,尤其hfzro铁电薄膜的发现,更使得si衬底上hfzro fefet器件展现出巨大的前景。然而,疲劳特性(endurance)却是当前巨大挑战之一。本课题组专注研究hfzro薄膜si fefet的疲劳特性,涵盖器件、材料、物理研究,具体包含以下几方面:

(1)栅结构注入/反注入效应(trapping/de-trapping)

(2)栅缺陷钝化

(3)hfzro铁电薄膜调制