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先进材料平台

面向应用的先进材料及器件制备

        欢迎来到广东省科学院半导体研究所先进材料平台。广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属的骨干科研院所之一,先进材料平台是广东省科学院半导体研究所四大研发平台之一,目前主要从事aln、gan、inn及其合金材料与器件研发,并会针对国家发展需要拓展bn、ga2o3等先进材料与器件研发。平台现有广东省珠江团队人才、广东省特支计划人才,以及来自名古屋工业大学、北京大学、清华大学、中山大学、华南师范大学等国内外高校和科研院所的优秀人才。

        欢迎有兴趣从事相关工作的人才加入,简历请发至邮箱[email protected]

代表性项目

  • 国家重点研发计划,大失配、强极化第三代半导体材料体系外延生长动力学和载流子调控规律,2016/07-2020/12
  • 国家重点研发计划,第三代半导体的衬底制备及同质外延,2017/07-2020/12
  • 国家自然科学基金青年项目,algan基空穴隧穿注入型深紫外led研究,2019/01-2021/12
  • 国家自然科学基金青年项目,led 中基于应力的载流子动力学机制及其对 droop 效应的影响研究,2014/01-2016/12
  • 广东省重点领域研发计划项目,深紫外固态光源关键技术及创新应用研究,2020/01-2022/12
  • 广东省重点领域研发计划项目,基于单晶aln的高频低损耗薄膜体声波滤波器的关键材料与器件研发及产业化应用,2018/11-2021/11
  • 广东省重点领域研发计划项目,高al组分algan的缺陷抑制、电导调控及其深紫外光电探测应用,2019/01-2021/12
  • 广东省科技计划重大项目,紫外uv-led芯片、模细开发与产业化,2016/01-2017/12
  • 广东省科技计划重大项目,4-6英寸gan基衬底产业化与同质外延关键技术研究,2017/04-2020/03
  • 广东省科技计划重点项目,深紫外led产品应用关键技术研究,2015/08-2018/07
  • 广东省科技计划重点项目,应用于高质量深紫外led的生产型mocvd设备研发,2015/10-2017/09
  • 广东特支计划科技青年拔尖人才,2015/04-2018/03
  • 广东省科技计划一般项目,基于紫外led的高效p型外延技术,2017/01-2018/12
  • 广东省自然科学基金面上项目,氮极性面aln材料的极性、缺陷和应变控制机理研究,2021/01-2023/12
  • 广东省自然科学基金面上项目,algan基紫外led载流子调控机制及其对器件光效提升的研究 ,2018/05-2021/04
  • 广东省自然科学基金区域联合基金项目,具有保护膜结构的aln模板的高温热退火及其机制研究,2020/01-2022/12
  • 东莞市重大科技项目,基于软膜曝光技术的第三代半导体gan器件用大尺寸新型图形化衬底材料,2017/07-2019/12
  • 东莞市核心技术攻关项目,面向非视距通讯领域的深紫外led关键技术研究,2019/01-2022/12
  • 广州市珠江新星项目,紫外led中载流子动力学机制及其对发光效率影响的研究,2016/05-2019/04
  • 广州市自然科学基金项目,高al组分algan高效p型掺杂的垂直电流输运改善及其机制研究,2020/04-2022/03

代表性论文(团队成员一作/通讯)

  • qiao wang, kang zhang, chengguo li, xihui liang, hualong wu, longfei he, qixin li, dan lin, wei zhao, zhitao chen, chenguang he*, ningyang liu*, miao he*, “modulating carrier distribution for efficient algan-based deep ultraviolet light-emitting diodes by introducing an asymmetric quantum well”, journal of electronic materials (2021)
  • xin chen, jianqi dong, chenguang he, longfei he, zhitao chen, shuti li, kang zhang*, xingfu wang*, zhong lin wang*, “epitaxial lift-off of flexible gan-based hemt arrays with performances optimization by the piezotronic effect”, nano-micro letters 13, 67 (2021)
  • qiao wang, longfei he, linyuan wang, chengguo li, chenguang he, deping xiong, dan lin, junjun wang, ningyang liu*, zhitao chen*, miao he*, “remarkably improved photoelectric performance of algan-based deep ultraviolet luminescence by using dual-triangle quantum barriers”, optics communications 478, 126380 (2021)
  • jianqi dong, baoyu wang, xianshao zou, wei zhao, chenguang he, longfei he, qiao wang, zhitao chen, shuti li, kang zhang*, xingfu wang*, “centimeter-long iii-nitride nanowires and continuous-wave pumped lasing enabled by graphically epitaxial lift-off”, nano energy 8, 8284-8289 (2020)
  • chenguang he*, wei zhao, hualong wu, ningyang liu, shan zhang*, junze li, chuanyu jia, kang zhang, longfei he, zhitao chen*, bo shen, “fast growth of crack-free thick aln film on sputtered aln/sapphire by introducing high-density nano-voids”, journal of physics d: applied physics 53, 405303 (2020) 
  • jian jiang, jianqi dong, baoyu wang, chenguang he, wei zhao, zhitao chen, kang zhang*, and xingfu wang*, “epitaxtial lift-off for freestanding ingan/gan membranes and vertical blue light-emitting- diodes”, journal of materials chemistry c 8, 8284-8289 (2020)
  • ningyang liu, qiao wang, bo li, junjun wang, kang zhang, chenguang he, lei wang*, ligang song, xingzhong cao, baoyi wang, dan lin, xiaoyan liu, wei zhao, zheng gong, and zhitao chen*, “”, the journal of physical chemistry c 123 (14), 8865-8870 (2019)
  • longfei he, wei zhao, kang zhang, chenguang he, hualong wu, xiaoyan liu, xingjun luo, shuti li*, and zhitao chen*, “marked enhancement in the efficiency of deep ultraviolet light-emitting diodes by using a alxga1-xn carrier reservoir layer”, applied physics express 12, 062013 (2019)
  • hualong wu, wei zhao*, chenguang he, kang zhang, longfei he, zhitao chen*, “growth of high quality aln/sapphire templates with high growth rate using a medium-temperature layer”, superlattices and microstructures 125, 343-347 (2019)
  • chenguang he*, wei zhao, hualong wu, shan zhang, kang zhang, longfei he, ningyang liu, zhitao chen*, and bo shen, “high-quality aln film grown on sputtered aln/sapphire via growth-mode modification”, crystal growth & design 18, 6816-6823 (2018)  (reported by semiconductor today)
  • longfei he, wei zhao, kang zhang, chenguang he, hualong wu, ningyang liu, weidong song, zhitao chen*, and shuti li*, “performance enhancement of algan-based 365 nm ultraviolet light-emitting diodes with a band-engineering last quantum barrier”, optics letters 43, 515-518 (2018)
  • chenguang he*, wei zhao, kang zhang, longfei he, hualong wu, ningyang liu, shan zhang, xiaoyan liu, and zhitao chen*, “high-quality gan epilayers achieved by facet-controlled epitaxial lateral overgrowth on sputtered aln/pss templates”, acs applied materials & interfaces 9, 43386-43392 (2017)

代表性专利(团队成员授权专利)

  • 何晨光,赵维,吴华龙,张康,贺龙飞,陈志涛,“一种aln外延层及其制备方法”,发明专利号zl201710717572.5
  • 何晨光,陈志涛,赵维,吴华龙,张康,贺龙飞,刘晓燕,刘云洲,廖乾光,曾昭烩,“垂直结构器件及其制备方法”,发明专利号zl201811648631.9
  • 何晨光,陈志涛,赵维,吴华龙,贺龙飞,张康,廖乾光,刘云洲,“氮化铝自支撑衬底及其制备方法”,发明专利号zl201811648628.7
  • 吴华龙,赵维,何晨光,张康,贺龙飞,廖乾光,刘云洲,陈志涛,“反应腔预处理方法及氮化铝外延层制备方法”,发明专利号zl201911306196.6
  • 吴华龙,陈志涛,赵维,何晨光,贺龙飞,张康,“半导体器件及其制备方法”,发明专利号zl201811003843.1
  • 贺龙飞,赵维,张康,何晨光,吴华龙,廖乾光,陈志涛,“一种采用mocvd技术的近紫外led及其制备方法”,发明专利号zl201911219335.1
  • 张康,赵维,陈志涛,贺龙飞,何晨光,吴华龙,廖乾光,“一种半导体外延结构制作方法”,发明专利号zl201810726184.8
  • 张康,陈志涛,赵维,何晨光,贺龙飞,吴华龙,刘宁炀,廖乾光,“一种n型algan的生长方法”,发明专利号zl201710688681.9
  • 刘晓燕,陈志涛,刘宁炀,任远,刘久澄,何晨光,张康,赵维,“一种用于可见光通信的ingan量子点光电探测器及其制备方法”,发明专利号zl201710002990.6
  • 何晨光,赵维,吴华龙,张康,贺龙飞,陈志涛,“一种 aln 外延层以及 algan 光电器件”,实用新型专利号zl201721046000.0 
  • 何晨光,陈志涛,赵维,吴华龙,贺龙飞,张康,刘晓燕,刘云洲,廖乾光,“一种发光二极管结构”,实用新型专利号zl201821382222.4
  • 吴华龙,赵维,何晨光,张康,贺龙飞,陈志涛,“一种背面场板结构 hemt 器件”,实用新型专利号zl201721100656.6
  • 张康,陈志涛,赵维,何晨光,贺龙飞,吴华龙,刘宁炀,廖乾光,“一种n型algan结构”,实用新型专利号zl201721006258.8 
  • 王君君,陈志涛,刘宁炀,何晨光,王巧,“一种led结构”,实用新型专利号zl201821478090.5
  • 张康,赵维,陈志涛,贺龙飞,何晨光,吴华龙,廖乾光,“一种半导体外延结构”,实用新型专利号zl201821058596.0 
  • 张康,赵维,陈志涛,贺龙飞,何晨光,吴华龙,刘晓燕,刘云洲,“一种半导体器件”,实用新型专利号zl201821111258.9 
  • 贺龙飞,陈志涛,赵维,张康,吴华龙,何晨光,王巧,刘云洲,廖乾光,“一种铝镓氮基紫外光源器件的结构”,实用新型专利号zl201820028341.3

 

 

 

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